[发明专利]保护膜形成膜、保护膜形成用复合片及带保护膜的芯片的制造方法在审
| 申请号： | 202210072759.5 | 申请日： | 2022-01-21 |
| 公开（公告）号： | CN115124743A | 公开（公告）日： | 2022-09-30 |
| 发明（设计）人： | 小桥力也;小升雄一朗;佐藤美玲 | 申请（专利权）人： | 琳得科株式会社 |
| 主分类号： | C08J5/18 | 分类号： | C08J5/18;C08L75/14;C08L33/00;C08K3/36;C09J7/24;C09J7/38;C09J133/00;H01L21/301 |
| 代理公司： | 北京路浩知识产权代理有限公司 11002 | 代理人： | 张晶;谢顺星 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供一种保护膜形成膜，其为能量射线固化性的保护膜形成膜，所述保护膜形成膜含有不具有能量射线固化性基团的丙烯酸树脂(b)与无机填充材料(d)，所述丙烯酸树脂(b)的重均分子量为1100000以下，分散度大于3.0，在所述保护膜形成膜中，除所述无机填充材料(d)以外的成分的合计含量相对于所述无机填充材料(d)的含量的比例为40质量％以上。 | ||
| 搜索关键词： | 保护膜 形成 复合 芯片 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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