[发明专利]MXenes拓扑结构的调控方法、MXenes凝胶膜电极和储能器件有效
| 申请号： | 202210067100.0 | 申请日： | 2022-01-20 |
| 公开（公告）号： | CN114572987B | 公开（公告）日： | 2023-09-05 |
| 发明（设计）人： | 曲良体;马鸿云 | 申请（专利权）人： | 清华大学 |
| 主分类号： | C01B32/921 | 分类号： | C01B32/921;C01B32/914;H01G11/36;H01G11/50;B82Y30/00;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙) 11201 | 代理人： | 黄德海 |
| 地址： | 10008*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： |
本发明公开了MXenes拓扑结构的调控方法、MXenes凝胶膜电极和储能器件。该调控方法包括：(1)将MXenes纳米片分散液与刻蚀剂混合，刻蚀剂将MXenes纳米片原先刚直平整的拓扑结构转变成弯曲褶皱的拓扑结构，得到高度弯曲褶皱的MXenes纳米片的分散液；(2)对高度弯曲褶皱的MXenes纳米片的分散液进行纯化，得到纯化的弯曲褶皱的MXenes纳米片；(3)将纯化的弯曲褶皱的MXenes纳米片进行组装，得到MXenes凝胶膜电极。该方法制得的MXenes凝胶膜电极兼具高密度和开放孔结构的特点，其层间结构既能有效容纳溶剂化Al |
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| 搜索关键词： | mxenes 拓扑 结构 调控 方法 凝胶 电极 器件 | ||
【主权项】：
暂无信息
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