[发明专利]一种耐冲击晶片电阻器及晶片电阻器的制造方法有效
| 申请号： | 202210060875.5 | 申请日： | 2022-01-19 |
| 公开（公告）号： | CN114334321B | 公开（公告）日： | 2022-09-30 |
| 发明（设计）人： | 陈燕灵;陈奕生 | 申请（专利权）人： | 深圳市宏远立新电子有限公司 |
| 主分类号： | H01C7/00 | 分类号： | H01C7/00;H01C1/024;H01C1/084;H01C17/00 |
| 代理公司： | 深圳市鼎圣霏凡专利代理事务所(普通合伙) 44759 | 代理人： | 徐晶 |
| 地址： | 518000 广东省深圳市龙岗*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种耐冲击晶片电阻器及晶片电阻器的制造方法，涉及电阻器技术领域，包括电阻器本体，所述电阻器本体还包括安装在底部的基板，所述基板顶部固定连接阻抗元素，所述阻抗元素顶部安装有基层密封层，所述基层密封层顶部固定连接第二层密封层，所述基板一侧安装有内端面，所述内端面外表面安装有中端面，所述中端面外表面固定连接外端面，所述基板顶部安装有第一导电板，所述第一导电板一侧固定连接陶瓷管，所述陶瓷管一端安装有第二导电板，所述陶瓷管外表面套接镍线，所述基板还安装有导电板一，本发明具有制作成本低、使用寿命长、耐高温、氧化和耐腐蚀性好的优点，提高了晶片电阻器的耐冲击性能、安全性和稳定性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 冲击 晶片 电阻器 制造 方法 | ||
【主权项】：
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