[发明专利]一种基于肖特基二极管的氧化镓微米柱阵列及其制备方法在审
| 申请号： | 202210060232.0 | 申请日： | 2022-01-19 |
| 公开（公告）号： | CN114447100A | 公开（公告）日： | 2022-05-06 |
| 发明（设计）人： | 叶建东;张贻俊;任芳芳;顾书林;张荣 | 申请（专利权）人： | 南京大学;南京大学深圳研究院 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/47;H01L29/24;H01L29/872;H01L21/34 |
| 代理公司： | 南京瑞弘专利商标事务所(普通合伙) 32249 | 代理人： | 陈建和 |
| 地址： | 210093 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种基于肖特基二极管的氧化镓微米柱阵列及其制备方法，所述肖特基二极管由下往上依次包括衬底层，氧化镓层，氧化镓微米柱的肖特基阵列；所述氧化镓层材料为α相、κ相、γ相或β相氧化镓，所述氧化镓微米柱材料为α相、κ相、γ相或β相氧化镓。本发明将HVPE和Mist CVD结合，快速制备出氧化镓微米柱阵列，制备高质量的氧化镓阵列材料，以实现低开启电压、快开关速度和低能源损耗的氧化镓微米柱阵列的肖特基二极管。相对于其他氧化镓肖特基二极管的方法，本发明制备的氧化镓微米柱阵列形貌精准可控，重复性好，效率高，制造工艺简单，可以有效地集成和大规模生产。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 肖特基 二极管 氧化 微米 阵列 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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