[发明专利]一种同步热处理/磁控溅射TiO2薄膜工艺方法在审
| 申请号： | 202210048321.3 | 申请日： | 2022-01-17 |
| 公开（公告）号： | CN114150268A | 公开（公告）日： | 2022-03-08 |
| 发明（设计）人： | 许建平;王佳杰;于久灏;陈晶;李青川;张梓烨 | 申请（专利权）人： | 黑龙江工程学院;黑龙江省海振科技有限公司 |
| 主分类号： | C23C14/08 | 分类号： | C23C14/08;C23C14/35;C23C14/58 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 150050 黑龙江*** | 国省代码： | 黑龙江;23 |
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| 摘要： | 一种同步热处理/磁控溅射TiO2薄膜工艺方法，属于薄膜制备领域。本发明是解决现有磁控溅射技术制备TiO2薄膜时需要后续高温退火处理的问题。沉积TiO2薄膜时利用等离子体源的热辐射和离子轰击效应同步实现单层TiO2快速高温退火处理，等离子体源阳极与Ti靶位于基体的两侧，偏压数值和持续时间随着基体转动位置而发生变化。等离子体源阳极一侧偏压的数值和高于Ti靶一侧偏压数值。沉积TiO2薄膜为锐钛矿型晶体结构，有效抑制金色葡萄球菌。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 同步 热处理 磁控溅射 tio2 薄膜 工艺 方法 | ||
【主权项】：
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