[发明专利]基于浮置环的多像素自由运行单光子探测器及制备方法在审
申请号: | 202210030908.1 | 申请日: | 2022-01-12 |
公开(公告)号: | CN114388632A | 公开(公告)日: | 2022-04-22 |
发明(设计)人: | 敖天宏;崔大健;柳聪;张承 | 申请(专利权)人: | 中国电子科技集团公司第四十四研究所 |
主分类号: | H01L31/02 | 分类号: | H01L31/02;H01L31/0224;H01L31/107;H01L31/18 |
代理公司: | 重庆乐泰知识产权代理事务所(普通合伙) 50221 | 代理人: | 张丽楠 |
地址: | 400060 *** | 国省代码: | 重庆;50 |
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摘要: | 本发明公开了一种基于浮置环的多像素自由运行单光子探测器及制备方法,包括外延片、形成于所述外延片上像素单元、形成于所述外延片上且与所述像素单元电连接的P电极以及形成于所述外延片底部的N电极;所述像素单元包括一形成于所述外延片内的有源区以及一形成于所述外延片内且环绕所述有源区设置的浮置环,所述P电极对应形成于所述有源区的上表面且与所述有源区和浮置环的一端均电连接;通过在单光子探测器上集成有源区和围绕有源区设置的浮置环,在抑制边缘击穿效应的同时获得自淬灭结构,且二者均采用闭管或MOCVD工艺实现,二者工艺兼容、易于实现。 | ||
搜索关键词: | 基于 浮置环 像素 自由 运行 光子 探测器 制备 方法 | ||
【主权项】:
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
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H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的