[发明专利]一种中空结构的SnO2 在审
| 申请号: | 202210021871.6 | 申请日: | 2022-01-10 |
| 公开(公告)号: | CN114426302A | 公开(公告)日: | 2022-05-03 |
| 发明(设计)人: | 张一卫;李同飞;徐林;孙冬梅;唐亚文 | 申请(专利权)人: | 东南大学 |
| 主分类号: | C01G19/02 | 分类号: | C01G19/02;C01G53/04;H01G11/24;H01G11/46 |
| 代理公司: | 南京苏高专利商标事务所(普通合伙) 32204 | 代理人: | 曹坤 |
| 地址: | 211102 江*** | 国省代码: | 江苏;32 |
| 权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
| 摘要: |
本发明公开了一种中空结构的SnO |
||
| 搜索关键词: | 一种 中空 结构 sno base sub | ||
【主权项】:
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于东南大学,未经东南大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/202210021871.6/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种新型对养殖场内温度检测和通风控制系统
- 下一篇:一种LED广告灯牌
- 碳涂覆的阳极材料
- 一种SnO<sub>2</sub>-Zn<sub>2</sub>SnO<sub>4</sub>复合压敏陶瓷及制备方法
- 一种La<sub>2</sub>O<sub>3</sub>-SnO<sub>2</sub>-Zn<sub>2</sub>SnO<sub>4</sub>压敏-电容双功能陶瓷材料及其制备方法
- 一种La<sub>2</sub>O<sub>3</sub>-SnO<sub>2</sub>-Zn<sub>2</sub>SnO<sub>4</sub>压敏-电容双功能陶瓷材料及其制备方法
- Zn<sub>2</sub>SnO<sub>4</sub>/SnO<sub>2</sub>复合纳米结构、其制备方法及用途
- 一种SnO<sub>2</sub>纳米线阵列的制备方法
- 异质结二氧化锡气敏材料的制备方法及其产品和应用
- 分级结构的SnO2气敏材料及其制备方法
- 一种山茶花状ZnO/SnO-SnO<base:Sub>2
- 低电阻率Ag/SnO2电工触头材料及其制备





