[发明专利]一种中空结构的SnO2

权利要求书

1.一种中空结构的SnO₂-NiO纳米管的制备方法，其特征在于，具体制备步骤如下：

(1)、利用PVP表面含氧官能团和过渡金属间的静电吸附的方法，制备Sn⁴⁺/Ni²⁺/PVP混合溶胶；

(2)、将得到的Sn⁴⁺/Ni²⁺/PVP混合溶胶经过静电纺丝的技术，制备得固体碳纤维薄膜；

(3)、将得到的固体碳纤维薄膜先在200～300℃的空气氛中预氧化后，以程序升温在400～1000℃下的空气气氛中进行热处理，最终得中空结构的SnO₂-NiO纳米管；即中空结构的SnO₂-NiO异质结纳米管超级电容器电极材料。

2.根据权利要求1所述的一种中空结构的SnO₂-NiO纳米管的制备方法，其特征在于，

在步骤(1)中，所述Sn⁴⁺/Ni²⁺/PVP混合溶胶的制备步骤具体如下：

(1.1)、将预备的PVP溶解于DMF和乙醇的混合溶液中，从而得到PVP溶液；

(1.2)、在得到的PVP溶液中加入氯化锡和硝酸镍，搅拌混匀后，利用PVP表面含氧官能团和过渡金属间的静电吸附的方法，最终得到Sn⁴⁺/Ni²⁺/PVP混合溶胶。

3.根据权利要求2所述的一种中空结构的SnO₂-NiO纳米管的制备方法，其特征在于：

在步骤(1.1)中，在所述PVP溶液中，PVP在DMF和乙醇的混合溶液中的质量分数为1～20％。

4.根据权利要求2所述的一种中空结构的SnO₂-NiO纳米管的制备方法，其特征在于，在步骤(1.2)中，所述氯化锡和硝酸镍的摩尔比为3:1～1:3。

5.根据权利要求1所述的一种中空结构的SnO₂-NiO纳米管的制备方法，其特征在于，

在步骤(2)中，所述静电纺丝的操作参数为：纺丝电压为10～30kV，接收装置到纺丝针头的距离4～20cm，溶液流速为0.01～1.0mL/min。

6.根据权利要求1所述的一种中空结构的SnO₂-NiO纳米管的制备方法，其特征在于，在步骤(2)中，所述程序升温的升温速率为1～20℃/min，升温至400～1000℃，保温2～8h。

7.一种由权利要求1-6中所述的方法制备的中空结构的SnO₂-NiO纳米管在超级电容器测试中的应用。