[发明专利]基于PECVD的TOPCon电池硼扩SE的制作方法

摘要

本发明涉及一种基于PECVD的TOPCon电池硼扩SE的制作方法，其包括如下步骤：S1：提供硅基材，并对硅基材进行制绒加工；S2：采用PECVD原位沉积工艺在硅基材上制作阻隔氧化层和原位重掺杂的P‑poly层；S3：采用激光将P‑poly层中的硼推进到硅基材的细栅区域中以形成重掺区；S4：采用湿法清洗去除P‑poly层；S5：对硅基材的硼扩采用轻扩，达到SE的目的。本工艺方法制得的SE具有明显的轻重掺杂区，SE区域的方阻和结深可以很方便调整而不影响太多产能，且可加工实施性强，成本低，采用PECVD原位掺杂的方式生长的P‑poly层具有高掺杂、高洁净度的特点，杂质含量低，不会像硼浆等方法一样引入脏污，能够保证加工后的TOPCon电池的使用性能。