[发明专利]真空电子装置中电子束的磁静电感测、聚焦和转向在审
| 申请号： | 202180082059.8 | 申请日： | 2021-11-13 |
| 公开（公告）号： | CN116686060A | 公开（公告）日： | 2023-09-01 |
| 发明（设计）人： | D·G·多尔蒂 | 申请（专利权）人： | 艾弗公司 |
| 主分类号： | H01J23/087 | 分类号： | H01J23/087 |
| 代理公司： | 北京纪凯知识产权代理有限公司 11245 | 代理人： | 姚远 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 生产具有多个二维的各种材料层的真空电子装置(VED)，所述多个二维的各种材料层被结合在一起以同时形成一个或多个VED。二维材料层被机械加工成包括装置工作所需的特征，使得当组装和结合成三维结构时，形成三维特征。二维层利用钎焊、扩散结合、辅助扩散结合、固态结合、冷焊、超声波焊接等结合在一起。制造方法能够并入VED制造所需的金属材料、磁性材料和陶瓷材料，同时维持所需的位置精度和每批多装置的能力。如此生产的VED包括用于电子束控制的磁性透镜与静电透镜的组合。 | ||
| 搜索关键词： | 真空 电子 装置 电子束 静电 聚焦 转向 | ||
【主权项】：
暂无信息
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