[发明专利]用于金属-绝缘体-金属电容器的四层高K在审
| 申请号： | 202180076885.1 | 申请日： | 2021-11-10 |
| 公开（公告）号： | CN116458282A | 公开（公告）日： | 2023-07-18 |
| 发明（设计）人： | 崔起植;安藤崇志;P·C·贾米森;J·G·梅西;E·A·卡迪尔 | 申请（专利权）人： | 国际商业机器公司 |
| 主分类号： | H10N97/00 | 分类号： | H10N97/00 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 王蕊瑞 |
| 地址： | 美国纽*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： |
一种半导体结构及其制造方法，包括包含与第二金属层交错的第一金属层的序列的多电极堆叠电容器。四层堆叠体将第一金属层中的每个与第二金属层中的每个分隔开，四层电介质堆叠体包括由Al |
||
| 搜索关键词： | 用于 金属 绝缘体 电容器 层高 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于国际商业机器公司，未经国际商业机器公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202180076885.1/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：参考信号和补充信号配置
- 下一篇：网络选择的方法、终端设备和网络设备
