[发明专利]GaAs晶圆和GaAs晶锭的制造方法在审
| 申请号： | 202180067882.1 | 申请日： | 2021-09-27 |
| 公开（公告）号： | CN116249801A | 公开（公告）日： | 2023-06-09 |
| 发明（设计）人： | 砂地直也;鸟羽隆一;赤石晃 | 申请（专利权）人： | 同和电子科技有限公司 |
| 主分类号： | C30B11/08 | 分类号： | C30B11/08 |
| 代理公司： | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人： | 刘新宇;李恩华 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： |
提供：特别适合用于LiDAR用的传感器制造的GaAs晶圆和能得到该GaAs晶圆的GaAs晶锭的制造方法。本发明的GaAs晶圆具有：5.0×10 |
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| 搜索关键词： | gaas 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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