[发明专利]GaAs晶圆和GaAs晶锭的制造方法在审
| 申请号： | 202180067882.1 | 申请日： | 2021-09-27 |
| 公开（公告）号： | CN116249801A | 公开（公告）日： | 2023-06-09 |
| 发明（设计）人： | 砂地直也;鸟羽隆一;赤石晃 | 申请（专利权）人： | 同和电子科技有限公司 |
| 主分类号： | C30B11/08 | 分类号： | C30B11/08 |
| 代理公司： | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人： | 刘新宇;李恩华 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | gaas 制造 方法 | ||
1.一种GaAs晶圆，其特征在于，具有：
5.0×1017cm-3以上且低于3.5×1018cm-3的硅浓度、
3.0×1017cm-3以上且低于3.0×1019cm-3的铟浓度、和
1.0×1018cm-3以上的硼浓度，
平均位错密度为1500个/cm2以下。
2.根据权利要求1所述的GaAs晶圆，其具有6.0×1017cm-3以上的载流子浓度。
3.根据权利要求1或2所述的GaAs晶圆，其中，
所述铟浓度为1.0×1018cm-3以上且1.2×1019cm-3以下，
所述平均位错密度为500个/cm2以下。
4.根据权利要求1～3中任一项所述的GaAs晶圆，其中，载流子浓度为8.0×1017cm-3以上且1.4×1018cm-3以下的范围，940nm的波长下的吸收系数为4.8cm-1以上且7.2cm-1以下。
5.根据权利要求1～3中任一项所述的GaAs晶圆，其中，载流子浓度为7.0×1017cm-3以上且8.0×1017cm-3以下的范围，940nm的波长下的吸收系数为4.8cm-1以上且6.8cm-1以下。
6.一种GaAs晶锭的制造方法，所述制造方法利用垂直温度梯度法或垂直布里奇曼法，使用硅作为掺杂剂，使用氧化硼作为密封剂，其特征在于，
与硅一起使用铟作为所述掺杂剂，
使硅加载量相对于GaAs原料为70wtppm以上且130wtppm以下、铟加载量相对于GaAs原料为100wtppm以上且5000wtppm以下进行添加，
使平均位错密度为1500个/cm2以下。
7.根据权利要求6所述的GaAs晶锭的制造方法，其中，具有载流子浓度成为6.0×1017cm-3以上的部分。
8.根据权利要求6或7所述的GaAs晶锭的制造方法，其中，使所述平均位错密度为500个/cm2以下。
9.根据权利要求6～8中任一项所述的GaAs晶锭的制造方法，其中，具有载流子浓度为8.0×1017cm-3以上且1.4×1018cm-3以下的范围、940nm的波长下的吸收系数为4.8cm-1以上且7.2cm-1以下的部分。
10.根据权利要求6～8中任一项所述的GaAs晶锭的制造方法，其中，具有载流子浓度为7.0×1017cm-3以上且8.0×1017cm-3以下的范围、940nm的波长下的吸收系数为4.8cm-1以上且6.8cm-1以下的部分。
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