[发明专利]改进的功率器件的设计和制造在审
| 申请号： | 202180053781.9 | 申请日： | 2021-08-31 |
| 公开（公告）号： | CN116235279A | 公开（公告）日： | 2023-06-06 |
| 发明（设计）人： | 西达尔特·桑妲蕾森;兰比尔·辛格;杰勋·帕克 | 申请（专利权）人： | GENESIC半导体公司 |
| 主分类号： | H01L21/04 | 分类号： | H01L21/04 |
| 代理公司： | 广州三环专利商标代理有限公司 44202 | 代理人： | 吴君琴 |
| 地址： | 美国弗*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本文描述了一种器件。该器件包括位于SiC基板上的单位单元。该单位单元包括闸极绝缘膜、井区中的沟槽、具有第二导电类型的第一下沉区和具有第二导电类型的第二下沉区。第一下沉区的深度等于或大于井区的深度。第一下沉区和第二下沉区中的每一者与具有第一导电类型的区域接触以形成p‑n接面。 | ||
| 搜索关键词： | 改进 功率 器件 设计 制造 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
