[发明专利]碲基半导体器件的制造方法、由此制造的碲基半导体器件以及薄膜晶体管在审
| 申请号： | 202180049892.2 | 申请日： | 2021-07-06 |
| 公开（公告）号： | CN116636014A | 公开（公告）日： | 2023-08-22 |
| 发明（设计）人： | 郑在景;金兑圭 | 申请（专利权）人： | 汉阳大学校产学协力团 |
| 主分类号： | H01L29/66 | 分类号： | H01L29/66 |
| 代理公司： | 北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙) 11201 | 代理人： | 宋融冰 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种碲基半导体器件的制造方法，本发明的制造方法，包括：准备基板的步骤；在所述基板上沉积包括碲和氧化碲的碲基半导体材料，来形成碲基半导体层的步骤；以及在所述碲基半导体层上形成钝化层的步骤。根据本发明的制造方法，由于不需要高温热处理或极低温条件，因此，可以通过实用性工艺制造半导体器件。此外，由于在制造过程中，碲基半导体层的结晶度得以提高，因此，可以提供电场迁移率和开关电流比等的电特性优异的p型半导体器件。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 制造 方法 由此 以及 薄膜晶体管 | ||
【主权项】：
暂无信息
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