[发明专利]用于生产单晶的晶体生长单元在审

专利信息
申请号: 202180047557.9 申请日: 2021-06-24
公开(公告)号: CN115768929A 公开(公告)日: 2023-03-07
发明(设计)人: P·韦尔曼 申请(专利权)人: 埃朗根-纽伦堡弗里德里希-亚历山大大学
主分类号: C30B23/02 分类号: C30B23/02
代理公司: 北京市中咨律师事务所 11247 代理人: 彭立兵;林柏楠
地址: 德国*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 发明涉及一种晶体生长单元,其包含用于生产和/或扩大单晶(4)的坩埚。所述晶体生长单元包括具有第一热导率的第一隔热体(5)和具有第二热导率的第二隔热体(12)。所述坩埚具有坩埚底、坩埚侧壁和坩埚盖。坩埚侧壁间接或直接被第一隔热体(5)包围。第二隔热体(12)间接或直接布置在坩埚盖上方。第二热导率高于第一热导率。
搜索关键词: 用于 生产 晶体生长 单元
【主权项】:
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