[发明专利]包含二醇结构的抗蚀剂下层膜形成用组合物在审
| 申请号: | 202180041796.3 | 申请日: | 2021-06-11 |
| 公开(公告)号: | CN115698857A | 公开(公告)日: | 2023-02-03 |
| 发明(设计)人: | 上林哲;远藤勇树 | 申请(专利权)人: | 日产化学株式会社 |
| 主分类号: | G03F7/11 | 分类号: | G03F7/11;C08G65/34;C08F220/20;G03F7/20 |
| 代理公司: | 北京市中咨律师事务所 11247 | 代理人: | 李渊茹;段承恩 |
| 地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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| 摘要: |
提供能够没有孔隙(空隙)地埋入微细化发展的半导体基板上的微细孔,在膜形成时的膜烧成时产生的升华物少的抗蚀剂下层膜形成用组合物、和兼具在半导体基板加工中作为对湿蚀刻药液的保护膜的功能的药液耐性保护膜组合物。一种抗蚀剂下层膜形成用组合物或保护膜形成用组合物,其包含:下述式(1)所示的、理论分子量为999以下的化合物;以及有机溶剂。[在式(1)中,Z |
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| 搜索关键词: | 包含 结构 抗蚀剂 下层 形成 组合 | ||
【主权项】:
暂无信息
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