[发明专利]包含二醇结构的抗蚀剂下层膜形成用组合物

权利要求书

1.一种抗蚀剂下层膜形成用组合物，其包含：下述式(1)所示的、理论分子量为999以下的化合物；以及有机溶剂，

在式(1)中，Z₁包含含氮杂环，U为下述式(2)所示的一价有机基，p表示2～4的整数；

在式(2)中，R₁表示碳原子数1～4的亚烷基，A₁～A₃各自独立地表示氢原子、甲基或乙基，X表示-COO-、-OCO-、-O-、-S-和-NR_a-中的任一者，R_a表示氢原子或甲基；Y表示直接键合或可以被取代的碳原子数1～4的亚烷基，R₂、R₃和R₄各自为氢原子、或者可以被取代的碳原子数1～10的烷基或碳原子数6～40的芳基，R₅为氢原子或羟基，n表示整数0或1，m1和m2各自独立地表示整数0或1，＊表示向Z₁结合的部分。

2.根据权利要求1所述的抗蚀剂下层膜形成用组合物，所述Z₁由下述式(3)表示，

在式(3)中，Q₃表示下述式(4)、式(5)或式(6)；

在式(4)、式(5)和式(6)中，

R₁₁、R₁₂、R₁₃和R₁₄各自独立地表示氢原子、可以被氧原子或硫原子中断的碳原子数1～10的烷基、可以被氧原子或硫原子中断的碳原子数2～10的烯基、可以被氧原子或硫原子中断的碳原子数2～10的炔基、苄基或苯基，所述苯基可以被选自碳原子数1～6的烷基、卤原子、原子数1～10的烷氧基、硝基、氰基和碳原子数1～6的烷硫基中的至少1种1价官能团取代；

R₁₅表示氢原子、可以被氧原子或硫原子中断且可以被羟基取代的碳原子数1～10的烷基、可以被氧原子或硫原子中断的碳原子数3～10的烯基、可以被氧原子或硫原子中断的碳原子数3～10的炔基、苄基或苯基，所述苯基可以被选自碳原子数1～6的烷基、卤原子、碳原子数1～10的烷氧基、硝基、氰基、碳原子数1～6的烷硫基、和式(1)中的所述U所示的1价有机基中的至少1种1价官能团取代；＊表示向U结合的部分。

3.根据权利要求2所述的抗蚀剂下层膜形成用组合物，所述R₁₅为碳原子数1～10的烷基或式(1)中的所述U所示的1价有机基。

4.根据权利要求2或3所述的抗蚀剂下层膜形成用组合物，所述R₁₁和R₁₂各自独立地为碳原子数1～10的烷基。

5.根据权利要求1～4中任一项所述的抗蚀剂下层膜形成用组合物，所述X为-S-，Y为亚甲基。

6.根据权利要求1～5中任一项所述的抗蚀剂下层膜形成用组合物，其进一步包含酸化合物和/或交联剂。

7.根据权利要求1～6中任一项所述的抗蚀剂下层膜形成用组合物，其进一步包含表面活性剂。

8.一种抗蚀剂下层膜，其特征在于，是由权利要求1～7中任一项所述的抗蚀剂下层膜形成用组合物形成的涂布膜的烧成物。