[发明专利]磁控溅射装置及使用该磁控溅射装置的成膜方法在审
| 申请号： | 202180035097.8 | 申请日： | 2021-04-20 |
| 公开（公告）号： | CN115552053A | 公开（公告）日： | 2022-12-30 |
| 发明（设计）人： | 松崎淳介;氏原祐辅;长谷川丈之;大久保裕夫 | 申请（专利权）人： | 株式会社爱发科 |
| 主分类号： | C23C14/35 | 分类号： | C23C14/35;C23C14/34;H05B33/10 |
| 代理公司： | 北京英特普罗知识产权代理有限公司 11015 | 代理人： | 齐永红;秦岩 |
| 地址： | 日本神奈*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： |
本发明提供一种当在有机层表面形成透明导电氧化物膜时，可尽量抑制有机层受损的磁控溅射装置(SM |
||
| 搜索关键词： | 磁控溅射 装置 使用 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于株式会社爱发科，未经株式会社爱发科许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202180035097.8/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
