[实用新型]一种对称结构的高精度单晶硅差压传感器有效
申请号: | 202121420029.7 | 申请日: | 2021-06-25 |
公开(公告)号: | CN214893824U | 公开(公告)日: | 2021-11-26 |
发明(设计)人: | 赵建立;马志强 | 申请(专利权)人: | 南京沃天科技股份有限公司 |
主分类号: | G01L13/06 | 分类号: | G01L13/06;G01L19/00 |
代理公司: | 南京中软知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 32466 | 代理人: | 郑燕飞 |
地址: | 210000 江苏*** | 国省代码: | 江苏;32 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本实用新型公开了一种对称结构的高精度单晶硅差压传感器,包括烧结底座、单晶硅芯片、芯体座、芯体管路、基座主体、基座管路、中心膜片、中心腔室、隔离膜片、隔离腔室、螺纹接头、定位管和充油管;基座主体的上端内侧壁套接安装有烧结底座;烧结底座的下端面对接安装有芯体座;芯体座的上端面开设的凹槽内部安装有单晶硅芯片;烧结底座和芯体座的外侧壁安装有芯体管路;基座主体的内部间隔嵌入安装有基座管路;基座主体的内部正中心竖直开设加工有中心腔室;中心腔室的内部竖直安装有中心膜片;本实用新型能够提供一种密封性能好、压力传感性能好以及部件便于拆卸更换的对称结构的高精度单晶硅差压传感器。 | ||
搜索关键词: | 一种 对称 结构 高精度 单晶硅 传感器 | ||
【主权项】:
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于南京沃天科技股份有限公司,未经南京沃天科技股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/202121420029.7/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种甜瓜种植用吊蔓支撑装置
- 下一篇:一种带有地轨结构的滑移式电气柜