[实用新型]一种高磁阻效应薄膜有效

专利信息
申请号: 202120553714.0 申请日: 2021-03-17
公开(公告)号: CN215040898U 公开(公告)日: 2021-12-07
发明(设计)人: 黄炎煌 申请(专利权)人: 泉州嘉德利电子材料有限公司
主分类号: B32B9/00 分类号: B32B9/00;B32B9/04;B32B27/36;B32B27/06;B32B33/00;B32B7/12;H05K9/00
代理公司: 泉州华昊知识产权代理事务所(普通合伙) 35240 代理人: 杜文娟
地址: 362100 福建*** 国省代码: 福建;35
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 实用新型公开了一种高磁阻效应薄膜,包括卷筒,所述卷筒的外表面缠绕连接有本体,所述本体的顶部通过压敏胶层粘接有紫外线阻隔层,所述紫外线阻隔层的顶部粘接有屏蔽层,所述屏蔽层的顶部粘接有聚酯层,所述聚酯层的顶部粘接有耐磨外层,所述耐磨外层的顶部粘接有防刮层,所述屏蔽层由导电压感碳膜层、低电阻导电膜层、碳基导电膜层和石墨烯高分子膜层组成。本实用新型通过本体的顶部通过压敏胶层粘接有紫外线阻隔层,紫外线阻隔层的顶部粘接有屏蔽层,起到了屏蔽电磁的效果,通过屏蔽层由导电压感碳膜层、低电阻导电膜层、碳基导电膜层和石墨烯高分子膜层组成,起到了高效阻隔的效果,从而提高了设备的使用效率。
搜索关键词: 一种 磁阻 效应 薄膜
【主权项】:
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于泉州嘉德利电子材料有限公司,未经泉州嘉德利电子材料有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/202120553714.0/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top