[实用新型]一种高磁阻效应薄膜有效
申请号: | 202120553714.0 | 申请日: | 2021-03-17 |
公开(公告)号: | CN215040898U | 公开(公告)日: | 2021-12-07 |
发明(设计)人: | 黄炎煌 | 申请(专利权)人: | 泉州嘉德利电子材料有限公司 |
主分类号: | B32B9/00 | 分类号: | B32B9/00;B32B9/04;B32B27/36;B32B27/06;B32B33/00;B32B7/12;H05K9/00 |
代理公司: | 泉州华昊知识产权代理事务所(普通合伙) 35240 | 代理人: | 杜文娟 |
地址: | 362100 福建*** | 国省代码: | 福建;35 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 磁阻 效应 薄膜 | ||
1.一种高磁阻效应薄膜,包括卷筒(1),其特征在于:所述卷筒(1)的外表面缠绕连接有本体(2),所述本体(2)的顶部通过压敏胶层(3)粘接有紫外线阻隔层(4),所述紫外线阻隔层(4)的顶部粘接有屏蔽层(5),所述屏蔽层(5)的顶部粘接有聚酯层(6),所述聚酯层(6)的顶部粘接有耐磨外层(7),所述耐磨外层(7)的顶部粘接有防刮层(8),所述屏蔽层(5)由导电压感碳膜层(51)、低电阻导电膜层(52)、碳基导电膜层(53)和石墨烯高分子膜层(54)组成。
2.根据权利要求1所述的一种高磁阻效应薄膜,其特征在于:所述导电压感碳膜层(51)位于低电阻导电膜层(52)的底部,所述碳基导电膜层(53)位于石墨烯高分子膜层(54)的底部。
3.根据权利要求1所述的一种高磁阻效应薄膜,其特征在于:所述卷筒(1)的内表面设置有通孔,且卷筒(1)为圆形设置。
4.根据权利要求1所述的一种高磁阻效应薄膜,其特征在于:所述导电压感碳膜层(51)的厚度为0.11cm-0.13cm,所述低电阻导电膜层(52)的厚度为0.12cm-0.14cm。
5.根据权利要求1所述的一种高磁阻效应薄膜,其特征在于:所述碳基导电膜层(53)的厚度为0.13cm-0.15cm,所述石墨烯高分子膜层(54)的厚度为0.14cm-0.16cm。
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