[实用新型]采用单炉多层流化熔融炉的碳化硅生产系统有效

专利信息
申请号: 202120294780.0 申请日: 2021-02-02
公开(公告)号: CN215626825U 公开(公告)日: 2022-01-25
发明(设计)人: 刘骏;高定;王宁;李玥鹏 申请(专利权)人: 北京绿清科技有限公司
主分类号: C01B32/963 分类号: C01B32/963
代理公司: 北京思元知识产权代理事务所(普通合伙) 11598 代理人: 余光军;霍雪梅
地址: 101300 北京市顺义区赵*** 国省代码: 北京;11
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摘要: 实用新型公开了一种采用单炉多层流化熔融炉的碳化硅生产系统,包括依次连接的干燥破碎装置、单炉多层流化熔融炉和产品处理装置,该单炉多层流化熔融炉的氩气出口通过输入管道与该干燥破碎装置的干燥氩气入口连接,在该输入管道上装有空气燃烧器;该干燥破碎装置的干燥氩气出口通过输出管道与单炉多层流化熔融炉的氩气入口连接。本实用新型采用单炉多层流化熔融方式生产碳化硅产品可保证物料的充分混合和传质传热,与传统的熔融法和升华法相比,完全生产出合格碳化硅产品的反应时间可由过去大约15~25个小时缩短为现在的1~2小时,极大地提高了生产效率;惰性气体的回用降低了能耗。
搜索关键词: 采用 多层 流化 熔融 碳化硅 生产 系统
【主权项】:
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