[实用新型]一种磁路高度调节结构有效

专利信息
申请号: 202120019852.0 申请日: 2021-01-06
公开(公告)号: CN214088649U 公开(公告)日: 2021-08-31
发明(设计)人: 张奇龙;李伟 申请(专利权)人: 杭州朗为科技有限公司
主分类号: C23C14/35 分类号: C23C14/35;C23C14/54
代理公司: 杭州浙言专利代理事务所(普通合伙) 33370 代理人: 易朝晖
地址: 311107 浙江省杭州*** 国省代码: 浙江;33
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摘要: 实用新型涉及一种磁路高度调节结构,用于调节圆柱旋转磁控阴极的磁轭和磁路水管之间的磁场大小,所述磁路高度调节结构包括内六角螺钉,调整螺母,连接杆,所述调整螺母上下开口并且中空,上开口略大于下开口,下开口垂直贯穿在磁路水管中,连接杆呈“十”字形,上端柱长于下端柱,且上端柱中具有容纳内六角螺钉的螺纹孔,连接杆的下端柱位于磁轭上的圆柱头螺钉孔中,所述内六角螺钉从调整螺母的上开口安装并与连接柱的上端柱的螺纹孔螺纹连接。该磁路高度调节结构在圆柱旋转磁控阴极产品上可等间距地设置多个,可以进行整体和局部磁场的调节,使得产品应用起来方便,增加了产品应用的灵活性。
搜索关键词: 一种 磁路 高度 调节 结构
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