[发明专利]一种单层陶瓷电容器晶界层半导体陶瓷材料及其制备在审
| 申请号： | 202111668230.1 | 申请日： | 2021-12-31 |
| 公开（公告）号： | CN114334444A | 公开（公告）日： | 2022-04-12 |
| 发明（设计）人： | 葛鸿钊;葛培盛;杨春根;程艳萍;袁镇安 | 申请（专利权）人： | 广东芯晟电子科技有限公司 |
| 主分类号： | H01G4/12 | 分类号： | H01G4/12;C04B35/47;C04B35/622;C04B41/00;C04B41/51;C04B41/88 |
| 代理公司： | 广州骏思知识产权代理有限公司 44425 | 代理人： | 潘慧馨 |
| 地址： | 526070 广东省肇庆市鼎湖*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： |
本发明涉及一种单层陶瓷电容器晶界层半导体陶瓷材料，该材料按重量百分比由以下原料制成：SrCO |
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| 搜索关键词： | 一种 单层 陶瓷 电容器 晶界层 半导体 陶瓷材料 及其 制备 | ||
【主权项】：
暂无信息
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