[发明专利]一种在硅基材料内部形成球形空腔的方法和设备在审
| 申请号： | 202111665891.9 | 申请日： | 2021-12-31 |
| 公开（公告）号： | CN114289881A | 公开（公告）日： | 2022-04-08 |
| 发明（设计）人： | 张俐楠;沈同舟;刘红英;吴立群;王洪成 | 申请（专利权）人： | 杭州电子科技大学 |
| 主分类号： | B23K26/362 | 分类号： | B23K26/362;B23K26/04;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 浙江千克知识产权代理有限公司 33246 | 代理人： | 黎双华 |
| 地址： | 310018 浙江省杭州市杭*** | 国省代码： | 浙江;33 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及微纳米制造技术领域，尤其涉及一种在硅基材料内部形成球形空腔的方法和设备，所述方法包括以下步骤：（S.1）采用激光加工的方式，制备具有空腔的硅基材料；（S.2）在热场中置入（S.1）所述中已制备得到的具有空腔的硅基材料，进行热处理工艺；（S.3）在（S.2）所述环境中加入电场，对硅基材料进行诱导成形，完成硅基材料内部球形空腔三维结构。本发明首先将经过激光加工后的硅基材料进行热处理，在经过热处理后，硅材料空腔处的硅原子的原子迁移率大幅提升，然后在加入电场进一步对硅基材料进行诱导成形促使硅基内部三维结构成形，本发明在制备过程中具有简单可控的优点，通过该方法能够有效提升微纳器件的性能表现。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基材 内部 形成 球形 空腔 方法 设备 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于杭州电子科技大学，未经杭州电子科技大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202111665891.9/，转载请声明来源钻瓜专利网。
