[发明专利]一种在金纳米棒两端包覆二氧化硅的方法在审
| 申请号： | 202111658412.0 | 申请日： | 2021-12-30 |
| 公开（公告）号： | CN114309592A | 公开（公告）日： | 2022-04-12 |
| 发明（设计）人： | 邓天松;窦云奇;张敏;胡鑫;李仕琦;程知群 | 申请（专利权）人： | 杭州电子科技大学 |
| 主分类号： | B22F1/16 | 分类号： | B22F1/16;B22F1/054;B22F1/07;B22F9/24;B82Y30/00;B82Y40/00;B01J23/52;B01J35/00;B01J35/02 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 310018 浙江省杭州*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种在金纳米棒两端包覆二氧化硅的方法，包括以下步骤：(1)利用种子生长法制备金纳米棒分散液；(2)将得到的金纳米棒分散液离心，去除上清液，清洗后得金纳米棒，将金纳米棒分散在CTAB溶液中，得金纳米棒CTAB分散液；(3)调整金纳米棒CTAB分散液pH为8.5后，在搅拌状态下一次性加入TEOS的乙醇溶液，搅拌2d，离心，分离物经水、乙醇清洗后，分散在乙醇中，得两端包覆二氧化硅的金纳米棒。本发明合成方法简单，重复性强，得到的哑铃状二氧化硅外壳作为硬模板，不易受环境因素影响。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 纳米 两端 二氧化硅 方法 | ||
【主权项】：
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