[发明专利]套刻标记及其形成方法在审
| 申请号： | 202111639652.6 | 申请日： | 2021-12-29 |
| 公开（公告）号： | CN114326325A | 公开（公告）日： | 2022-04-12 |
| 发明（设计）人： | 易洪深;杨尊 | 申请（专利权）人： | 长江存储科技有限责任公司 |
| 主分类号： | G03F7/20 | 分类号： | G03F7/20 |
| 代理公司： | 上海盈盛知识产权代理事务所(普通合伙) 31294 | 代理人： | 陈丽丽 |
| 地址： | 430074 湖北省武*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明涉及半导体制造技术领域，尤其涉及一种套刻标记及其形成方法。所述套刻标记包括：第一组衍射套刻标记，包括呈周期性排布的多个第一标记、以及位于所述第一标记上方且呈周期性排布的多个第二标记；第二组衍射套刻标记，包括呈周期性排布的多个所述第二标记、以及位于所述第二标记上方且呈周期性排布的多个第三标记，所述第二组衍射套刻标记的投影完全覆盖全部的所述第一标记。本发明减少了套刻标记整体所占用的切割道区域面积，提高了切割道区域面积的利用率，且提高了套刻测量的准确度。 | ||
| 搜索关键词： | 标记 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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