[发明专利]一种细晶氧化物陶瓷的制备方法在审

专利信息
申请号: 202111634175.4 申请日: 2021-12-22
公开(公告)号: CN114477966A 公开(公告)日: 2022-05-13
发明(设计)人: 任科;皮慧龙;戴俊宏;王一光 申请(专利权)人: 北京理工大学
主分类号: C04B35/10 分类号: C04B35/10;C04B35/04;C04B35/468;C04B35/48;C04B35/505;C04B35/622;C04B35/628;C04B35/64
代理公司: 北京正阳理工知识产权代理事务所(普通合伙) 11639 代理人: 张利萍
地址: 100081 *** 国省代码: 北京;11
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摘要: 发明公开了一种电场辅助下快速烧结制备细晶氧化物陶瓷的方法,包括以下步骤:步骤1:通过水解沉淀法制备包覆粉体并经模压得到坯体;步骤2:将步骤1中的坯体加热到预设温度T,其中300℃≤T≤1300℃;步骤3:将步骤2加热后的坯体放入直流电场内,在预设电场强度E和交电流密度J下发生闪烧;其中60V/cm≤E≤1500V/cm,5mA/mm2≤J≤200mA/mm2;步骤4:发生闪烧后保持电流密度J一段时间t;去掉施加直流电场,将坯体冷却到室温,即可得到细晶氧化物陶瓷块体;本发明具有有效抑制陶瓷烧结过程中晶粒长大的优点,为细晶氧化物陶瓷的制备提供了新的途径。
搜索关键词: 一种 氧化物 陶瓷 制备 方法
【主权项】:
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