[发明专利]刻蚀可调的甘脲类低聚物及其制备方法在审
| 申请号： | 202111603760.8 | 申请日： | 2021-12-24 |
| 公开（公告）号： | CN114262396A | 公开（公告）日： | 2022-04-01 |
| 发明（设计）人： | 顾大公;陈鹏;夏力;马潇;许从应;毛智彪 | 申请（专利权）人： | 宁波南大光电材料有限公司 |
| 主分类号： | C08F8/32 | 分类号： | C08F8/32;C08G83/00;G03F7/004 |
| 代理公司： | 深圳盛德大业知识产权代理事务所(普通合伙) 44333 | 代理人： | 左光明 |
| 地址： | 315800 浙江省*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明适用于光刻胶技术领域，提供了一种刻蚀可调的甘脲类低聚物及其制备方法，该方法包括：将四羟甲基甘脲、取代醇、酸性阳离子树脂均匀混合，得到混合液；将所述混合液升温并在真空条件下进行恒温反应，反应完成后，得到刻蚀可调的甘脲类低聚物。本发明通过该方法制备得到的甘脲类低聚物不仅可大大降低抗反射涂层在n/k值方面的调整难度，同时还可加快抗反射涂层刻蚀速率，极大的提高了光刻工艺的吸光性能。 | ||
| 搜索关键词： | 刻蚀 可调 甘脲类低聚物 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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