[发明专利]GaN HEMT器件过流保护电路在审
| 申请号： | 202111580276.8 | 申请日： | 2021-12-22 |
| 公开（公告）号： | CN114123099A | 公开（公告）日： | 2022-03-01 |
| 发明（设计）人： | 曹国恩;王一波;由弘扬;王环 | 申请（专利权）人： | 中国科学院电工研究所 |
| 主分类号： | H02H3/08 | 分类号： | H02H3/08 |
| 代理公司： | 北京瀚仁知识产权代理事务所(普通合伙) 11482 | 代理人： | 宋宝库;屠晓旭 |
| 地址： | 100190 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明属于功率器件应用领域，具体涉及了一种GaN HEMT器件过流保护电路，旨在解决常规GaN HEMT器件的过流检测技术存在响应速度慢、抗干扰能力差、电路复杂、成本高的问题。本发明包括：待测GaN HEMT器件、有源钳位电路、电压信号处理电路、电压比较电路、驱动电路，通过采用电压钳位电路实现高速开关状态下GaN HEMT在导通阶段通态压降的精确测量，将测量值实时与器件过流保护阈值相比较，并进行保护动作。本发明具有结构简单、检测精度高、检测带宽高、可靠性高、抗干扰能力强的优点。 | ||
| 搜索关键词： | gan hemt 器件 保护 电路 | ||
【主权项】：
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