[发明专利]一种高转换增益的图像传感器像素结构在审
| 申请号： | 202111579267.7 | 申请日： | 2021-12-22 |
| 公开（公告）号： | CN114268753A | 公开（公告）日： | 2022-04-01 |
| 发明（设计）人： | 王菁;陈多金;陈杰;旷章曲;刘志碧;田晓川;程超 | 申请（专利权）人： | 上海韦尔半导体股份有限公司 |
| 主分类号： | H04N5/374 | 分类号： | H04N5/374;H04N5/3745;H01L27/146 |
| 代理公司： | 北京凯特来知识产权代理有限公司 11260 | 代理人： | 郑立明;赵镇勇 |
| 地址： | 201210 上海*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种高转换增益的图像传感器像素结构，包括置于半导体基体中的光电二极管101、传输晶体管103、浮动扩散节点104、复位晶体管105、源跟随器晶体管107、行选通晶体管108、电源106以及pixel输出109；通过改变浮动扩散节点104与传输晶体管103和复位晶体管105之间的交叠电容，提高电荷电压转换因子，从而提高图像传感器的灵敏度：在浮动扩散节点104与所述传输晶体管103和复位晶体管105的交叠处分别设置复位晶体管浅沟道氧化层115和传输晶体管浅沟道氧化层116，并在周围设置浅沟槽隔离117。本发明通过减少浮动扩散节点与传输晶体管和复位晶体管之间的交叠电容提高电荷电压转换因子减小输入参考噪声，提高信噪比，实现高灵敏度的图像传感器。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 转换 增益 图像传感器 像素 结构 | ||
【主权项】：
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