[发明专利]基于改进缺陷地结构的高灵敏度微波微流控传感器有效

专利信息
申请号: 202111575827.1 申请日: 2021-12-22
公开(公告)号: CN114235849B 公开(公告)日: 2023-08-01
发明(设计)人: 赵文生;叶威;王大伟;王晶;王高峰 申请(专利权)人: 杭州电子科技大学
主分类号: G01N22/00 分类号: G01N22/00;G01N27/22;B01L3/00
代理公司: 浙江千克知识产权代理有限公司 33246 代理人: 周雷雷
地址: 310016 浙江省杭州市江干区*** 国省代码: 浙江;33
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摘要: 发明公开了基于改进缺陷地结构的高灵敏度微波微流控传感器,为双端口器件;具有顶层、中间层及底层;顶层包括一条微带线、两个50欧姆的电阻元件及两个SMA连接头,微带线有两个缺口处,缺口处均由50欧姆电阻元件焊接,微带线具有一个输入端口与一个输出端口,输入端口与输出端口均与微带线连接,且输入端口与输出端口分别用于连接SMA连接头,SMA连接头与矢量网络分析仪相连通;中间层是介质板;底层包括改进缺陷地结构,改进缺陷地结构包括螺旋线与DGS结构,螺旋线与DGS结构边缘之间有一个正方形环,在DGS结构中间有一个螺旋线结构,螺旋线结构上面置有一个内部形成有微流体通道的PDMS。该传感器灵敏度高、测量范围宽,检测误差小。
搜索关键词: 基于 改进 缺陷 结构 灵敏度 微波 微流控 传感器
【主权项】:
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