[发明专利]一种新型的GaN基ESD保护电路在审
| 申请号： | 202111574406.7 | 申请日： | 2021-12-21 |
| 公开（公告）号： | CN114256822A | 公开（公告）日： | 2022-03-29 |
| 发明（设计）人： | 周春华;邓超;周琦;熊琦;王凯弟;王守一;党其亮;张波 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | H02H9/02 | 分类号： | H02H9/02 |
| 代理公司： | 成都点睛专利代理事务所(普通合伙) 51232 | 代理人： | 葛启函 |
| 地址： | 611731 四川省*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明属于半导体器件及集成电路技术领域，公开了一种GaN基静电放电(ESD)保护电路解决方案。所述ESD保护电路包含增强型p‑GaN HEMT器件和限流电阻。本发明由触发电路和静电流泄放电路组成，利用增强型p‑GaN HEMT器件的栅漏二极管连接方式控制触发电压，并利用限流电阻控制漏电流和泄放电路，同时利用栅极与源极同电位时，能够反向导通的能力，从而实现二极管组防护电路所不具备的双向防护功能。在相同的防护等级下，该发明与二极管组防护电路相比能显著降低漏电流，从而降低由漏电流引起的功耗。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 新型 gan esd 保护 电路 | ||
【主权项】：
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