[发明专利]一种新型的GaN基ESD保护电路

权利要求书

1.一种新型的GaN基ESD保护电路，其特征在于，包括第一增强型p-GaN HEMT器件Q1、第二增强型p-GaN HEMT器件Q2、第三增强型p-GaN HEMT器件Q3、第一限流电阻R1和第二限流电阻R2；所述第一增强型p-GaN HEMT器件Q1的漏端、第一限流电阻R1的一端和第二增强型p-GaN HEMT器件Q2的漏端连接在一起共同组成电路的第一输入端，第一增强型p-GaN HEMT器件Q1的源端与第二限流电阻R2的一端连接到一起组成电路的第二输入端，其中第一输入端为正向输入端，第二输入端为负向输入端；所述第一增强型p-GaN HEMT器件Q1的栅端、第二限流电阻R2的另一端和第三p-GaN HEMT器件Q3的源端连接；所述第二p-GaN HEMT器件Q2的栅端、第一限流电阻R1另一端和第三p-GaN HEMT器件Q3的漏端连接；所述第二p-GaNHEMT器件Q2的源端与第三p-GaN HEMT器件Q3的栅端连接；

第一增强型p-GaN HEMT器件Q1作为静电泄放电路；第二增强型p-GaN HEMT器件Q2和第一限流电阻R1组成次级触发电路，第三增强型p-GaN HEMT器件Q3、第一限流电阻R1和第二限流电阻R2组成主触发电路。

2.根据权利要求1所述的一种新型的GaN基ESD保护电路，其特征在于，三个增强型p-GaN HEMT器件的栅极金属与p-GaN层的接触均为欧姆接触或者肖特基接触。

3.根据权利要求1所述的一种新型的GaN基ESD保护电路，其特征在于，所述主触发电路配置成当施加到第三增强型p-GaN HEMT器件Q3的栅极电压等于或大于阈值电压的情况下，从所述第三增强型p-GaN HEMT器件Q3的源极排出电流。

4.根据权利要求1所述的一种新型的GaN基ESD保护电路，其特征在于，所述主触发电路配置成当施加到第二限流电阻上的电压大于或等于第一增强型p-GaN HEMT器件Q1的阈值电压的情况下，从第一增强型p-GaN HEMT器件Q1的漏极排出泄放电流。

5.根据权利要求1所述的一种新型的GaN基ESD保护电路，其特征在于，所述第一限流电阻与第二限流电阻的总阻值确定的情况下，第一限流电阻与第二限流电阻的比值大小决定第一增强型p-GaN HEMT器件的栅极电压。

6.根据权利要求1所述的一种新型的GaN基ESD保护电路，其特征在于，所述第一增强型p-GaN HEMT器件Q1在接反向电压的情况下，将以二极管模式工作形成反向电流。

7.根据权利要求1所述的一种新型的GaN基ESD保护电路，其特征在于，所述第一增强型p-GaN HEMT器件Q1为功率器件。