[发明专利]RRAM电流量化电路及方法在审

专利信息
申请号: 202111572881.0 申请日: 2021-12-21
公开(公告)号: CN114244364A 公开(公告)日: 2022-03-25
发明(设计)人: 余学儒;李琛;段杰斌;田畔;张飞翔 申请(专利权)人: 上海集成电路装备材料产业创新中心有限公司;上海集成电路研发中心有限公司
主分类号: H03M1/12 分类号: H03M1/12;H03M1/00
代理公司: 上海恒锐佳知识产权代理事务所(普通合伙) 31286 代理人: 黄海霞
地址: 201800 上海市嘉定*** 国省代码: 上海;31
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摘要: 发明提供了一种RRAM电流量化电路及方法,所述RRAM电流量化电路包括参考电流源、第一电流镜单元、第二电流镜单元、第三电流镜单元、第四电流镜单元、第一开关单元、第二开关单元、第三开关单元和量化单元,其中,所述参考电流源用于提供初始电流,用于将初始电流按照第一比例缩放后输出参考电流,量化单元用于输出每一次的量化结果,第二电流镜单元用于将所述忆阻器电流按照第二比例缩放后输出初始待测电流,第三电流镜单元用于根据参考电流和待测电流输出残差电流,第四电流镜单元用于将所述残差电流按照第四比例缩放后输出下一时刻的待测电流。本发明的RRAM电流量化电路能够有效降低电流量化时的功耗和误差,减小电路面积。
搜索关键词: rram 电流 量化 电路 方法
【主权项】:
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