[发明专利]用于干法刻蚀的丙烯酸酯类负性光刻胶膜及其制备方法在审
| 申请号： | 202111569372.2 | 申请日： | 2021-12-21 |
| 公开（公告）号： | CN114236966A | 公开（公告）日： | 2022-03-25 |
| 发明（设计）人： | 周元基;向容 | 申请（专利权）人： | 潍坊星泰克微电子材料有限公司 |
| 主分类号： | G03F7/038 | 分类号： | G03F7/038;G03F7/033;G03F7/16;G03F7/38;G03F7/40 |
| 代理公司： | 北京超凡宏宇专利代理事务所(特殊普通合伙) 11463 | 代理人： | 张金铭 |
| 地址： | 261000 山东省潍坊市高新技术开*** | 国省代码： | 山东;37 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及光刻胶技术领域，尤其是涉及用于干法刻蚀的丙烯酸酯类负性光刻胶膜及其制备方法。本发明提供了含有不饱和双键的有机金属化合物作为功能化合物在提高丙烯酸酯类负性光刻胶膜刻蚀比中的应用，所述含有不饱和双键的有机金属化合物中的不饱和双键能够与丙烯酸酯类树脂交联，生成不溶于碱的交联产物，而含有不饱和双键的有机金属化合物中含有金属元素能够对光刻后的干法刻蚀工序中的等离子体起到屏蔽作用，从而提高丙烯酸酯类负性光刻胶膜的刻蚀比。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 刻蚀 丙烯酸酯 类负性 光刻 胶膜 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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