[发明专利]用于干法刻蚀的丙烯酸酯类负性光刻胶膜及其制备方法

权利要求书

1.含有不饱和双键的有机金属化合物在提高丙烯酸酯类负性光刻胶膜刻蚀比中的应用。

2.根据权利要求1所述的应用，其特征在于，所述含有不饱和双键的有机金属化合物的双键数量至少为1个，优选为1～4个。

3.根据权利要求1或2所述的应用，其特征在于，所述含有不饱和双键的有机金属化合物的金属元素选自镁、钙、钡、钛、锆、铪、钒、铬、钼、钨、锰、铁、钴、镍、铜、锌、镉、铟、锡或锑中的至少一种。

4.根据权利要求3所述的应用，其特征在于，所述含有不饱和双键的有机金属化合物为丙烯酸锆。

5.一种用于制备丙烯酸酯类负性光刻胶膜的组合物，其特征在于，按重量百分比计，所述组合物包括，丙烯酸酯树脂10％～50％、含有不饱和双键的有机金属化合物3％～30％、光引发剂0.5％～10％和有机溶剂10％～80％。

6.根据权利要求5所述的组合物，其特征在于，所述含有不饱和双键的有机金属化合物的双键数量至少为1个，优选为1～4个。

7.根据权利要求5或6所述的组合物，其特征在于，所述含有不饱和双键的有机金属化合物的金属元素选自镁、钙、钡、钛、锆、铪、钒、铬、钼、钨、锰、铁、钴、镍、铜、锌、镉、铟、锡或锑中的至少一种。

8.根据权利要求7所述的组合物，其特征在于，所述光引发剂选自907、184或TPO。

9.根据权利要求8所述的组合物，其特征在于，所述有机溶剂选自丙二醇甲醚、丙二醇甲醚醋酸酯、醋酸乙酯或乳酸乙酯中的至少一种。

10.一种丙烯酸酯类负性光刻胶膜的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括，按照权利要求5～9任一项所述配方量称取丙烯酸酯树脂、含有不饱和双键的有机金属化合物、光引发剂和有机溶剂，混匀后，依次经滤膜过滤、旋涂涂胶、掩膜曝光、浸泡显影、清洗干燥后得到用于干法刻蚀的丙烯酸酯类负性光刻胶膜；

优选地，所述滤膜过滤使用的滤膜孔径为0.01～2μm，优选为0.2μm；

优选地，所述旋涂涂胶涂敷的膜厚为1～10μm，优选为3μm；

优选地，所述掩膜曝光的报告剂量为10～200mJ/cm²，优选为100mJ/cm²；

优选地，所述浸泡显影使用的浸泡液包括四甲基氢氧化铵水溶液、氢氧化钠溶液或氢氧化钾溶液中的一种或多种；

优选地，在旋涂涂胶过程中采用热板进行预烘，在掩膜曝光之后，浸泡显影之前，采用热板进行中烘，在清洗干燥后，采用热板进行坚膜；所述预烘温度为90～120℃，预烘时间为30～90s；所述中烘温度为90～120℃，中烘时间为30～90s；所述坚膜温度为90～120℃，坚膜时间为30～90s；

优选地，所述预烘温度为110℃，预烘时间为60s；所述中烘温度为120℃，中烘时间为60s；所述坚膜温度为110℃，坚膜时间为60s。