[发明专利]一种通过还原沉钒脱硅制备低硅多钒酸铵的方法在审
| 申请号： | 202111546679.0 | 申请日： | 2021-12-16 |
| 公开（公告）号： | CN114314660A | 公开（公告）日： | 2022-04-12 |
| 发明（设计）人： | 刘波;彭穗;辛亚男;姚洁 | 申请（专利权）人： | 成都先进金属材料产业技术研究院股份有限公司 |
| 主分类号： | C01G31/00 | 分类号： | C01G31/00;C01G31/02 |
| 代理公司： | 北京润平知识产权代理有限公司 11283 | 代理人： | 严政 |
| 地址： | 610306 四川省成都市青白江区城厢镇香岛大道1*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明涉及除硅和钒化合物制备领域，具体涉及一种通过还原沉钒脱硅制备低硅多钒酸铵的方法。该方法包括：提供含钒溶液；向所述含钒溶液中加酸，调节pH值至5‑6，加入还原剂进行还原反应，得到还原后的钒溶液；将所述还原后的钒溶液的pH值调节至2‑3，加入铵盐进行反应，待反应结束后，过滤得到沉钒滤饼，将滤饼用去离子水打浆洗涤，然后进行干燥。按照本发明所述的通过还原沉钒脱硅制备低硅多钒酸铵的方法，可以实现对含钒溶液进行深度脱硅，制备的APV中硅含量降至20ppm以下，除硅效果优异。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 通过 还原 沉钒脱硅 制备 低硅多钒酸铵 方法 | ||
【主权项】：
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