[发明专利]基于拓扑磁结构的逻辑门在审
| 申请号： | 202111544824.1 | 申请日： | 2021-12-16 |
| 公开（公告）号： | CN114337647A | 公开（公告）日： | 2022-04-12 |
| 发明（设计）人： | 麦启宇;张溪超;夏静;周艳 | 申请（专利权）人： | 香港中文大学（深圳） |
| 主分类号： | H03K19/20 | 分类号： | H03K19/20;H01L43/08;B82Y10/00 |
| 代理公司： | 华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人： | 史治法 |
| 地址： | 518172 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种基于拓扑磁结构的逻辑门。该逻辑门包括纳米双层赛道，纳米双层赛道包括第一赛道及第二赛道，第一赛道与第二赛道交叉连接形成交汇区域；其中，第一赛道包括第一输入端及第一输出端；第二赛道包括第二输入端；第一赛道及第二赛道用于为拓扑磁结构的移动提供路径。该逻辑门，通过拓扑磁结构在第一输入端、第二输入端与第一输出端之间的移动，实现非门的逻辑功能。由于拓扑磁结构可以稳定存在于纳米双层赛道中，因此该逻辑门体积较小；由于拓扑磁结构具有一定的拓扑势垒，稳定性好，因此该逻辑门稳定性较高；同时，拓扑磁结构具有功耗低及非易失等优点，在掉电时仍然能够保留逻辑值，无待机功耗，因此该逻辑门功耗较低。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 拓扑 结构 逻辑 | ||
【主权项】：
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