[发明专利]一种电介质薄膜介电性能调控方法在审
| 申请号： | 202111542758.4 | 申请日： | 2021-12-16 |
| 公开（公告）号： | CN114267539A | 公开（公告）日： | 2022-04-01 |
| 发明（设计）人： | 张烜赫;叶会见;徐立新 | 申请（专利权）人： | 浙江工业大学;平湖市浙江工业大学新材料研究院 |
| 主分类号： | H01G4/12 | 分类号： | H01G4/12 |
| 代理公司： | 杭州天正专利事务所有限公司 33201 | 代理人： | 黄美娟;俞慧 |
| 地址： | 310014 浙*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种电介质薄膜介电性能调控方法，该方法首先制备聚多巴胺包覆钛酸钡核壳结构颗粒；进一步在惰性气体下高温煅烧核壳结构颗粒，使壳层聚多巴胺碳化形成碳包覆层；最后将碳包覆的钛酸钡杂化颗粒与P(VDF‑CTFE)基体复合得到电介质薄膜。该方法通过引入不同电导率界面层，产生不同程度的界面极化效应，在低的填料添加量下提高了介电常数，同时保持较低的介电损耗，工艺简单，成本低廉，易于实现。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 电介质 薄膜 性能 调控 方法 | ||
【主权项】：
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