[发明专利]一种电介质薄膜介电性能调控方法

权利要求书

1.一种电介质薄膜介电性能调控方法，按照如下步骤进行：

(1)首先将钛酸钡颗粒置于乙醇中室温超声30-120min并烘干，获得羟基化钛酸钡颗粒；配置Tris-HCl缓冲溶液，其中pH为8-9，浓度为5-10mmol/L，进一步加入盐酸多巴胺获得聚多巴胺前驱液，所述聚多巴胺前驱液中盐酸多巴胺的浓度为1-3mg/ml；将羟基化钛酸钡颗粒加入聚多巴胺前驱液加热搅拌，其中羟基化钛酸钡颗粒与盐酸多巴胺的投料质量比为40-60：1，并控制温度为50-70℃，搅拌时间为10-12h；最后通过去离子水洗涤去除过量聚多巴胺得到聚多巴胺包覆钛酸钡核壳结构颗粒；

(2)在惰性气体下于500-700℃高温煅烧聚多巴胺包覆钛酸钡核壳结构颗粒，将壳层聚多巴胺碳化形成碳包覆层，得到碳包覆的钛酸钡杂化颗粒；

(3)通过溶液浇铸法将碳包覆的钛酸钡杂化颗粒与P(VDF-CTFE)基体复合得到电介质薄膜，其中碳包覆的钛酸钡杂化颗粒的体积百分含量为0.9vol％-2.5vol％。

2.如权利要求1所述的电介质薄膜介电性能调控方法，其特征在于：步骤(1)中，所述羟基化钛酸钡颗粒与盐酸多巴胺的投料质量比为50：1。

3.如权利要求1所述的电介质薄膜介电性能调控方法，其特征在于：步骤(2)中，煅烧时间为2-4h，最优选煅烧时间为2h。

4.如权利要求1或3所述的电介质薄膜介电性能调控方法，其特征在于：煅烧温度为500-600℃，最优选煅烧温度为600℃。

5.如权利要求1所述的电介质薄膜介电性能调控方法，其特征在于：步骤(2)中，控制电介质薄膜中碳包覆的钛酸钡杂化颗粒的体积百分含量为1.5vol％-2.0vol％。

6.如权利要求5所述的电介质薄膜介电性能调控方法，其特征在于：步骤(2)中，控制电介质薄膜中碳包覆的钛酸钡杂化颗粒的体积百分含量为1.6vol％。

7.如权利要求1所述的电介质薄膜介电性能调控方法，其特征在于：步骤(2)中，所述惰性气体为氩气或氮气。

8.如权利要求1所述的电介质薄膜介电性能调控方法，其特征在于：步骤(2)中，碳包覆的钛酸钡杂化颗粒的碳层厚度为3-7nm。

9.如权利要求1所述的电介质薄膜介电性能调控方法，其特征在于：所述步骤(3)按照如下实施：将P(VDF-CTFE)粉末在溶剂中充分分散，然后加入碳包覆的钛酸钡杂化颗粒，充分分散得到均匀溶剂，再将该均匀溶液流延成膜，然后在100-140℃退火6-12小时，再自然冷却至室温得到电解质薄膜。

10.如权利要求9所述的电介质薄膜介电性能调控方法，其特征在于：步骤(3)中，所述的溶剂为DMF或NMP。