[发明专利]一种原位异质增强的双金属MXene/MoS2 在审
申请号: | 202111541102.0 | 申请日: | 2021-12-16 |
公开(公告)号: | CN114280109A | 公开(公告)日: | 2022-04-05 |
发明(设计)人: | 太惠玲;赵秋妮;梁俊阁;黄琦;张亚杰;袁震;段再华 | 申请(专利权)人: | 电子科技大学 |
主分类号: | G01N27/12 | 分类号: | G01N27/12 |
代理公司: | 电子科技大学专利中心 51203 | 代理人: | 甘茂 |
地址: | 611731 四川省成*** | 国省代码: | 四川;51 |
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摘要: |
本发明属于气体传感器与复合纳米材料技术领域,具体提供一种原位异质增强的双金属MXene/MoS |
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搜索关键词: | 一种 原位 增强 双金属 mxene mos base sub | ||
【主权项】:
暂无信息
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