[发明专利]一种原位异质增强的双金属MXene/MoS2在审

专利信息
申请号: 202111541102.0 申请日: 2021-12-16
公开(公告)号: CN114280109A 公开(公告)日: 2022-04-05
发明(设计)人: 太惠玲;赵秋妮;梁俊阁;黄琦;张亚杰;袁震;段再华 申请(专利权)人: 电子科技大学
主分类号: G01N27/12 分类号: G01N27/12
代理公司: 电子科技大学专利中心 51203 代理人: 甘茂
地址: 611731 四川省成*** 国省代码: 四川;51
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摘要: 发明属于气体传感器与复合纳米材料技术领域,具体提供一种原位异质增强的双金属MXene/MoS2复合膜基二氧化氮传感器及其制备方法。本发明提供一种新型NOx敏感材料:原位异质增强的双金属MXene/MoS2复合材料,在水热环境下双金属MXene外层Mo原子与硫原子相互作用取代双金属MXene末端官能团,从而原位生长双金属MXene/MoS2异质界面,双金属MXene二维结构上分级组装边缘表露的MoS2,使其具有优异的NOx气敏特性;并且,本发明以该材料为气敏层设置于敏感器件基底上构成二氧化氮传感器,该传感器室温工作,具有高信噪比、宽检测范围(2.5ppb~50ppm)、超低检测限与好重复性(RSD1%)的优点,且对氧化氮(NOx)气体具有高选择性,匹配新一代的低功耗、可穿戴电子设备发展需求。
搜索关键词: 一种 原位 增强 双金属 mxene mos base sub
【主权项】:
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