[发明专利]一种原位异质增强的双金属MXene/MoS2

权利要求书

1.一种原位异质增强的双金属MXene/MoS₂复合膜基二氧化氮传感器，其特征在于，所述二氧化氮传感器包括：敏感器件基底、及敏感器件基底上设置的气敏层，所述气敏层为双金属MXene/MoS₂复合敏感膜。

2.按权利要求1所述原位异质增强的双金属MXene/MoS₂复合膜基二氧化氮传感器，其特征在于，所述气敏层的厚度为50nm～500μm。

3.按权利要求1所述原位异质增强的双金属MXene/MoS₂复合膜基二氧化氮传感器，其特征在于，所述双金属MXene/MoS₂复合材料由双金属MXene材料上通过原位生长MoS₂制得。

4.按权利要求1所述原位异质增强的双金属MXene/MoS₂复合膜基二氧化氮传感器，其特征在于，所述双金属MXene材料为Mo₂TiC₂T_x或Mo₂Ti₂C₃T_x，其中，T_x代表末端官能团。

5.按权利要求1所述原位异质增强的双金属MXene/MoS₂复合膜基二氧化氮传感器，其特征在于，所述敏感器件基底为刚性或柔性基底的叉指电极。

6.按权利要求5所述原位异质增强的双金属MXene/MoS₂复合膜基二氧化氮传感器，其特征在于，所述敏感器件基底为刚性基底的叉指电极时，所述刚性基底采用硅基衬底、陶瓷衬底或三氧化二铝衬底，所述敏感器件基底为柔性基底的叉指电极时，所述柔性基底采用聚酰亚胺(PI)、聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚氨酯(PU)、布基或纸基中的一种。

7.按权利要求5所述原位异质增强的双金属MXene/MoS₂复合膜基二氧化氮传感器，其特征在于，所述敏感器件基底的叉指电极数量为1～50对，每对叉值电极的叉值间距/宽度为5～500μm，叉指电极厚度为100～1000nm。

8.按权利要求1所述原位异质增强的双金属MXene/MoS₂复合膜基二氧化氮传感器的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

步骤1.对敏感器件基底进行预处理：依次进行清洗、干燥、亲水处理；

步骤2.制备双金属MXene分散液：以刻蚀相前驱体(Mo₂TiAlC₂或Mo₂Ti₂C₃T_x)为原料，首先，采用氢氟酸(HF)或盐酸与其它氟化物的混合溶液刻蚀，然后，采用四甲基氢氧化铵(TMAOH)或四丁基氢氧化铵(TBAOH)插层工艺，最后，离心清洗得到双金属MXene分散液；刻蚀与插层的次数为一次到多次；

步骤3.原位生长制备双金属MXene/MoS₂复合材料：采用水热工艺在双金属MXene上生长MoS₂纳米材料；

步骤4.将敏感材料分散液沉积在敏感器件基底上形成气敏层，干燥后得到原位异质增强的双金属MXene/MoS₂复合膜基二氧化氮传感器。

9.按权利要求8所述原位异质增强的双金属MXene/MoS₂复合膜基二氧化氮传感器的制备方法，其特征在于，所述步骤4中，沉积工艺包括：涂料笔涂覆、喷涂、旋涂、滴涂、浸涂或自组装的工艺制备单层或多层薄膜。