[发明专利]高耐硒灵芝Ganoderma lucidum JNUSE-200及其富硒发酵策略有效
申请号: | 202111537482.0 | 申请日: | 2021-12-15 |
公开(公告)号: | CN114250153B | 公开(公告)日: | 2023-07-25 |
发明(设计)人: | 丁重阳;徐萌萌;王琼;魏志毅;赵丽婷;顾正华;马忠宝;石贵阳 | 申请(专利权)人: | 江南大学 |
主分类号: | C12N1/14 | 分类号: | C12N1/14;C12N1/36;C12N3/00;C12P19/04;A23L31/00;A23L33/10;A23L33/16;A23K10/12;A23K20/20;A61K8/9789;A61K8/73;A61Q19/00;A61K36/074;A61K31/715 |
代理公司: | 哈尔滨市阳光惠远知识产权代理有限公司 23211 | 代理人: | 赵巧娜 |
地址: | 214122 江苏*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本发明公开了高耐硒灵芝Ganoderma lucidum JNUSE‑200及其富硒发酵策略,属于生物技术领域。本发明提供的灵芝菌株Ganoderma lucidum JNUSE‑200已于2021年9月17日保藏于中国典型培养物保藏中心。硒耐受能力的提升对其富硒至关重要,而本发明的灵芝菌株Ganoderma lucidum JNUSE‑200在整个液体发酵生长周期中,均能稳定耐受200ppm亚硒酸钠,菌丝体生长正常,菌丝细胞没有出现凋亡,且没有出现刺激性难闻气味,菌丝体富硒总量可以达到2000mg/kg,因此本菌株具有很广泛的应用前景。 | ||
搜索关键词: | 高耐硒 灵芝 ganoderma lucidum jnuse 200 及其 发酵 策略 | ||
【主权项】:
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