[发明专利]一种基于碳纳米管的纳流控芯片的制备方法在审
申请号: | 202111537020.9 | 申请日: | 2021-12-16 |
公开(公告)号: | CN114177959A | 公开(公告)日: | 2022-03-15 |
发明(设计)人: | 崔冠东;马明 | 申请(专利权)人: | 清华大学 |
主分类号: | B01L3/00 | 分类号: | B01L3/00 |
代理公司: | 北京众合诚成知识产权代理有限公司 11246 | 代理人: | 陈波 |
地址: | 10008*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本申请提供了一种基于碳纳米管的纳米通道高精度加工方法以及相应应用和产品。本申请的加工方法包括在基片上刻蚀标记、生长碳纳米管水平阵列、光刻胶保护所需的碳纳米管、氧等离子体刻蚀掉碳纳米管、光刻构建微流道、碳纳米管打断、键合PDMS和安装进液管和出液管的步骤。本申请的方法不仅加工精度高,操作简单,与传统技术兼容性高,可设计的空间大,而且制备得到的纳米通道具有较高的长径比,在沿纳米管轴线方向具有良好的均一性和稳定性,最小尺寸可以减小到0.4nm,尺寸精确可控,密封性较好,当流体介质沿该纳米通道运动时不易漏液。 | ||
搜索关键词: | 一种 基于 纳米 纳流控 芯片 制备 方法 | ||
【主权项】:
暂无信息
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