[发明专利]一种CrAlVSiN涂层的制备方法有效

专利信息
申请号: 202111536148.3 申请日: 2021-12-15
公开(公告)号: CN114351087B 公开(公告)日: 2023-03-17
发明(设计)人: 钟利;陈美艳;唐德礼;王新超;许泽金;刘旋;崔西蓉 申请(专利权)人: 核工业西南物理研究院;中核同创(成都)科技有限公司
主分类号: C23C14/06 分类号: C23C14/06;C23C14/02;C23C14/35
代理公司: 核工业专利中心 11007 代理人: 陈丽丽
地址: 610041 四川*** 国省代码: 四川;51
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摘要: 发明属于表面工程技术领域,具体涉及一种CrAlVSiN涂层的制备方法,该CrAlVSiN涂层包括过渡层、中间层和功能层,过渡层沉积于基材表面,中间层沉积于过渡层上,功能层沉积于中间层上;过渡层为TiAlN,中间层为CrAlTiN;功能层为CrAlTiN。本发明通过引入射频、脉冲等辉光放电,或霍尔放电模式引入高能离子束进行活化处理,优化过程参数,实现了CrAlVSiN硬质涂层膜基结合力的提升,制备获得的CrAlVSiN涂层硬度高、耐磨性强并且抗高温氧化,在作为刀具、模具和轴承的表面功能涂层时能够表现出良好的切削寿命、抗粘附性和强化保护作用。
搜索关键词: 一种 cralvsin 涂层 制备 方法
【主权项】:
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