[发明专利]一种多级激励双筒磁流变阻尼器及其控制方法在审

专利信息
申请号: 202111522940.3 申请日: 2021-12-13
公开(公告)号: CN114412950A 公开(公告)日: 2022-04-29
发明(设计)人: 张红辉;熊苧淞;安娜;邹致远 申请(专利权)人: 重庆大学
主分类号: F16F9/16 分类号: F16F9/16;F16F9/53;F16F9/50;F16F9/32
代理公司: 重庆缙云专利代理事务所(特殊普通合伙) 50237 代理人: 王翔
地址: 400044 *** 国省代码: 重庆;50
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摘要: 发明提供一种多级激励双筒磁流变阻尼器及其控制方法。该阻尼器包括底座、内筒、外筒、导向密封组件、活塞组件和磁路组件。所述外筒的两端敞口分别采用导向密封组件和底座封堵。所述内筒同轴设置于外筒内。所述内筒的外壁与外筒的内壁之间形成有流道腔。所述磁路组件布置在流道腔中。当给线圈通电时,与线圈相邻的流通通道Ⅰ转变为主动流动间隙。所述(N‑1)个线圈正极从底座独立引出。所述(N‑1)个线圈共用负极。所述(N‑1)个线圈的负极并联连接后从底座引出。恒压源对线圈进行激励。该阻尼器大幅扩展磁流变阻尼器的可控阻尼力范围。通过调控施加磁场控制主动流动间隙数量的方式来控制阻尼力的大小,实现不同的阻尼力控制范围的组合。
搜索关键词: 一种 多级 激励 双筒 流变 阻尼 及其 控制 方法
【主权项】:
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