[发明专利]一种多级激励双筒磁流变阻尼器及其控制方法在审
| 申请号: | 202111522940.3 | 申请日: | 2021-12-13 |
| 公开(公告)号: | CN114412950A | 公开(公告)日: | 2022-04-29 |
| 发明(设计)人: | 张红辉;熊苧淞;安娜;邹致远 | 申请(专利权)人: | 重庆大学 |
| 主分类号: | F16F9/16 | 分类号: | F16F9/16;F16F9/53;F16F9/50;F16F9/32 |
| 代理公司: | 重庆缙云专利代理事务所(特殊普通合伙) 50237 | 代理人: | 王翔 |
| 地址: | 400044 *** | 国省代码: | 重庆;50 |
| 权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 多级 激励 双筒 流变 阻尼 及其 控制 方法 | ||
1.一种多级激励双筒磁流变阻尼器,其特征在于:包括底座(2)、内筒(7)、外筒(10)、导向密封组件、活塞组件和磁路组件;
所述外筒(10)的两端敞口分别采用导向密封组件和底座(2)封堵;所述内筒(7)同轴设置于外筒(10)内;所述内筒(7)的两端敞口分别顶抵在导向密封组件和底座(2)上;所述内筒(7)的外壁与外筒(10)的内壁之间形成有流道腔;所述内筒(7)靠近导向密封组件的一端的侧壁上开设有若干个流通窗口Ⅰ(701),靠近底座(2)的一端的侧壁上开设有若干个流通窗口Ⅱ(702);
所述活塞组件包括活塞(8)、浮动活塞(9)和活塞杆(11);所述活塞(8)为一端敞开,另一端封闭的中空结构;所述活塞(8)布置在内筒(7)的内腔中;所述活塞(8)的外壁紧贴内筒(7)的内壁;所述活塞(8)的敞口端朝向底座(2);所述活塞杆(11)的一端与活塞(8)固定连接,另一端穿过导向密封组件后伸出外筒(10);所述浮动活塞(9)为一端敞开,另一端封闭的中空结构;所述浮动活塞(9)布置在活塞(8)的内腔中;所述浮动活塞(9)的敞口端朝向底座(2);所述浮动活塞(9)可沿活塞(8)的轴向滑动;
所述磁路组件布置在流道腔中;所述磁路组件包括N个磁轭(4)和(N-1)个线圈(5);所述磁轭(4)套设在内筒(7)的外壁上;所述线圈(5)绕设在内筒(7)的外壁上;所述N个磁轭(4)和(N-1)个线圈(5)沿内筒(7)的轴向依次交替布置;各个磁轭(4)的外表面与外筒(10)的内壁形成N个流通通道Ⅰ;各个线圈(5)的外表面与外筒(10)的内壁形成(N-1)个流通通道Ⅱ;所述流通通道Ⅰ和流通通道Ⅱ共同组成磁流变液流经的液流通道;当给线圈(5)通电时,与线圈(5)相邻的流通通道Ⅰ转变为主动流动间隙;磁流变液流过主动流动间隙时,克服磁流变液链状排列的分子间的力,从而阻尼力增加;相邻两个线圈(5)的磁场方向相反;所述(N-1)个线圈(5)正极从底座(2)独立引出;所述(N-1)个线圈(5)共用负极;所述(N-1)个线圈(5)的负极并联连接后从底座(2)引出;恒压源对线圈(5)进行激励。
2.根据权利要求1所述的一种多级激励双筒磁流变阻尼器,其特征在于:所述导向密封组件包括导向座(12)、油封(13)和压板(14);所述导向座(12)一端与内筒(7)抵接,另一端与油封(13)抵接。
3.根据权利要求1所述的一种多级激励双筒磁流变阻尼器,其特征在于:所述底座(2)上具有N个螺纹孔;所述螺纹孔中布置有注塑接线柱(1);各个线圈(5)的励磁线路通过引线(3)和注塑接线柱(1)引出底座(2)。
4.根据权利要求1所述的一种多级激励双筒磁流变阻尼器,其特征在于:相邻两个线圈(5)的绕向相反。
5.根据权利要求1所述的一种多级激励双筒磁流变阻尼器,其特征在于:相邻两个线圈(5)的通电电流的反向相反。
6.根据权利要求1所述的一种多级激励双筒磁流变阻尼器,其特征在于:所述活塞(8)的封闭端和浮动活塞(9)的封闭端合围出补偿腔;所述补偿腔中充入氮气或者采用弹簧进行支撑。
7.根据权利要求1所述的一种多级激励双筒磁流变阻尼器,其特征在于:所述内筒(7)靠近导向密封组件的一端设置有压套(6);所述压套(6)用于磁路组件的轴向定位与紧固;所述压套(6)在流通窗口Ⅰ(701)的对应位置处设置有孔洞。
8.一种根据权利要求1所述多级激励双筒磁流变阻尼器的控制方法,其特征在于:根据磁流变阻尼器的行程确定所需阻尼力大小;单片机控制各个线圈(5)电流的通断,调控主动流动间隙的数量;活塞杆(11)带动活塞(8)在内筒(7)的内腔中运动;磁流变液流经主动流动间隙,产生可控阻尼力。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于重庆大学,未经重庆大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202111522940.3/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。





