[发明专利]一种高γ抑制比的中子敏感的微通道板及其制作方法在审
| 申请号： | 202111520597.9 | 申请日： | 2021-12-14 |
| 公开（公告）号： | CN114203515A | 公开（公告）日： | 2022-03-18 |
| 发明（设计）人： | 刘术林;孙志嘉;闫保军;周健荣;衡月昆;张斌婷;韦雯露;闫文静;彭华兴 | 申请（专利权）人： | 中国科学院高能物理研究所 |
| 主分类号： | H01J43/24 | 分类号： | H01J43/24;G01T3/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 100049 北京市石*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： |
本发明公开了一种高γ抑制比的中子敏感的微通道板及其制作方法，采用 |
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| 搜索关键词： | 一种 抑制 中子 敏感 通道 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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